Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике,
электронике и технологии ........................................ 6
Выступление на Нобелевском банкете ............................. 51
Полупроводниковый лазер с электрической накачкой ............... 53
Об одной особенности инжекции в гетеропереходах ................ 54
О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности
тока на основе p-i-n(p-n-n+, п-р-р+)-структуры с
гетеропереходами ............................................... 58
Высоковольтные p-n-переходы в кристаллах GaxAlj xAs ............ 64
Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs-p-GaAs ....... 68
Гетеропереходы AlxGa1-xAs ....................................... 71
Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе
AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной
температуре .................................................... 83
Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе
AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров и получение непрерывного
режима генерации при комнатной температуре ..................... 91
Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов
р-А1xGa, As-n-GaAs ............................................. 96
Electroluminescence of heavily-doped heterojunctions
p-AlxGa1-xAs-n-GaAs ............................................. 99
Расщепление зоны проводимости в "сверхрешетке" на основе
GaPxAs1-x ...................................................... 114
Heterojunctions on the basis of AIIIBV semiconductors and
their solid solutions ......................................... 118
Полупроводниковый оптический квантовый генератор .............. 128
Фототранзистор на основе гетеропереходов в системе GaAs-AlAs .. 132
Инжекционный гетеролазер с выводом излучения через
дифракционную решетку ......................................... 140
Фотоэдс в плавной гетероструктуре на основе твердых
растворов AlxGa1-xAs ........................................... 145
Снижение пороговой плотности тока в GaAs-AlGaAs ДГС РО
квантоворазмерных лазерах (Jn=52А • см-2, Т=300 К)
при ограничении квантовой ямы короткопериодной
сверхрешеткой с переменным шагом .............................. 149
Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально
связанных квантовых точек InAs в матрице GaAs ................. 154
Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе ....... 159
Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии ............ 189
Физика на пороге XXI века ..................................... 209
России без собственной электроники не обойтись ................ 221
Папа Иоффе и его "детский сад" ................................ 239