310.
(11) 2086971
(46) 10.08.97
(51) 6 G 01 N 27/12
(21) 93033068/25
(22) 24.06.93
(71) Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Ефимов В. М., Курышев Г. Л., Воронцов В. В.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН
(54) СЕНСОРНАЯ СТРУКТУРА
(57) Использование: в системах контроля состояния жидких и газообразных сред. Сущность изобретения сенсорная структура содержит полупроводниковую проводящую подложку, изолирующий слой с расположенным на нем металлическим электродом, газочувствительный слой и контакты к полупроводниковой подложке и электроду. Газочувствительный слой имеет открытую поверхность, расположен на торцевой области изолирующего слоя и контактирует с электродами и подложкой. 1 ил.
|
