166.
(11) 2125323
(46) 20.01.1999
(51) 6 H 01 L 21/20
(21) 97103424/25
(22) 06.03.1997
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Романов Сергей Иванович
(72) Романов С.И., Кириенко В.В., Соколов Л.В., Машанов В.И., Ламин М.А., Фомин Б.И.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН Романов Сергей Иванович
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ "ПОЛУПРОВОДНИК-НА-ИЗОЛЯТОРЕ"
(57) Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационностойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, удаление с поверхности пористого слоя окиси кремния потоком молекулярного кремния, эпитаксию полупроводника на поверхности пористого слоя, вскрытие окон в эпитаксиальной пленке и окисление пористого слоя под пленкой. После анодного травления кремниевую подложку с пористым слоем промывают в деионизованной воде, затем подвергают анодному окислению в растворе соляной кислоты, вновь промывают в деионизованной воде и сушат в атмосфере кислорода, а эпитаксию проводят, используя как элементарные полупроводники, так и полупроводниковые соединения. В качестве материала подложки может быть использован сильнолегированный монокристаллический кремний p-типа технического качества. Техническим результатом изобретения является уменьшение спекания пористого слоя при нагреве, блокирование примесей в нем и подложке, уменьшение потребности в высокочистом кремнии, а также использование в качестве материала эпитаксиальной пленки как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
1 - кремниевая подложка, 2 - пористый слой, 3 - пористй слой, подвергнутый анодному окислению, 4 - эпитаксиальная пленка полупроводника, 5 - слой окиси кремния.
|
|
