153.
(11) Номер патента: 2166814
(46) Дата публикации: 10.05.2001
(51) МПК7: H 01 L 21/324
(21) Номер заявки: 2000107473/28
(22) Дата подачи заявки: 27.03.2000
(71) Заявитель: Институт физики полупроводников СО РАН (RU)
(72) Изобретатель: Антонова И.В. (RU), Попов В.П. (RU), Мисюк Андрей (PL), Ратайчак Яцек (PL)
(73) Патентообладатель: Институт физики полупроводников СО РАН (RU)
(98) Адрес для переписки: 630090, г.Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева 13, Институт физики полупроводников СО РАН
(54) СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ НАРУШЕНИЙ В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
(57) Использование: в полупроводниковой технологии для создания современных материалов микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе. Сущность изобретения: в способе устранения структурных нарушений в структурах кремний-на-изоляторе, включающем имплантацию ионов кислорода и последующий отжиг, отжиг проводят в атмосфере инертного газа при повышенном гидростатическом давлении 0,6 - 1,5 ГПа, при температуре 1100 - 1200°С, продолжительностью 2 - 10 ч. Техническим результатом изобретения является отсутствие структурных нарушений на границе раздела Si/SiO2 при температурах отжига существенно более низких, чем те, что обычно используют для устранения дефектов в процессе создания КНИ-структур. 1 ил.
|
|
