154.
(11) Номер патента: 2175794
(46) Дата публикации: 10.11.2001
(51) МПК7: H 01 L 27/14
(21) Номер заявки: 2000109106/28
(22) Дата подачи заявки: 11.04.2000
(71) Заявитель: Институт физики полупроводников СО РАН
(72) Изобретатель: Двуреченский А.В., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Рязанцев И.А.
(73) Патентообладатель: Институт физики полупроводников СО РАН
(98) Адрес для переписки: 630090, г.Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 13, Институт физики полупроводников СО РАН
(54) МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ ПОГЛОЩЕНИЯ ДО 7 МКМ
(57) Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к производству фотоприемных модулей, и может быть использовано в приборах ночного видения, тепловизорах, газоанализаторах. Техническим результатом изобретения является достижение межэлементной развязки с коэффициентом развязки более 95%. Сущность: устройство содержит подложку из высокоомного кремния р-типа проводимости, со стороны засветки - электрод и контактный слой р++, с другой стороны - мезаструктуры со слоем фотоактивного поглощения р+, контактный слой р++ и алюминиевый электрод, причем со стороны засветки на контактный слой р++ в качестве электрода напылен тонкий слой прозрачного окисла - окиси индия и олова толщиной 0,2-0,5 мкм, концентрация примеси в контактных слоях р++ составляет Np~1•1019 см-3, между контактным слоем р++ со стороны засветки и подложкой р расположен легированный слой р+ с Np~1017-1018 см-3 толщиной 3-5 мкм, образующий с подложкой р и контактным слоем р++ потенциальный барьер (р-р+-р++), позволяющий блокировать темновую проводимость, с другой стороны на подложке выполненные мезаструктуры и тонкий слой фотоактивного поглощения р+ с концентрацией легирующей примеси Np~(5-7)•1019 см-3 имеют такую глубину и толщину соответственно, что слой фотоактивного поглощения р+ полностью изолирован мезаструктурой и его концентрация легирующей примеси спадает до значения концентрации примеси в подложке на глубине, меньшей, чем глубина мезаструктуры. Алюминиевый электрод нанесен на всю поверхность мезаструктуры. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
|
