Угол Начало Библиотека Академгородок Новости Ресурсы Выставки Библиография Поиск УголУгол

Logo
 
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
 
Календарь
памятных дат СО РАН
 
Сигма

 
январь
 
 
февраль
 
 
март
 
 
апрель
 
 
май
 
 
июнь
 
 
июль
 
 
август
 
 
сентябрь
 
 
октябрь
 
 
ноябрь
 
 
декабрь
 

2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020
 
ИФП СО РАН
 
 
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В.РЖАНОВА СО РАН (ИФП СО РАН)

630090, г. Новосибирск,
пр. Ак. Лаврентьева, 13
Тел.: +7(383) 333-27-66
Факс: +7(383) 333-27-71
E-mail: ifp@isp.nsc.ru
www: http://www.isp.nsc.ru

Историческая справка: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук был создан 24 апреля 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР N 49 от 24.04.64 г.). В 1990 г. Институт стал головным в Объединенном институте физики полупроводников (ОИФП) в составе Института физики полупроводников и Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники СО РАН, в 1996 г. в состав ОИФП был введен Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (г. Омск) (постановление Президиума СО АН СССР N 532 от 22.11.90 г., постановление СО РАН N 215 от 26.12.97 г.) В 2003 г. постановлением Президиума РАН N 224 от 1.07.03 г. Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников реорганизован в Институт физики полупроводников СО РАН путем присоединения к нему Института сенсорной микроэлектроники СО РАН в качестве филиала. В 2005 г. постановлением Президиума РАН N 274 от 29.11.05 г. к ИФП СО РАН присоединен Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, который в настоящее время является филиалом ИФП СО РАН. В 2006 г. постановлением Президиума РАН N 400 от 26.12.06 г. Институту присвоено имя академика А.В.Ржанова. В 2007 г. постановлением Президиума РАН N 274 от 18.12.07 г. Институт переименован в Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Постановлением Президиума РАН N 262 от 13.12.11 г. Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Постановлением Президиума СО РАН N 440 от 14.12.12 г. в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН исключен из состава Института. В соответствии с Федеральным законом N 253-ФЗ от 27.09.13 г. и распоряжением Правительства РФ N 2591-р от 30.12.13 г. Институт передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

Основные направления научных исследований:

  • Физика конденсированного состояния, физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем.
  • Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, физико-химические основы технологий микроэлектроники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики.
  • Оптика, лазерная физика, квантовая электроника.

Источники:
Дополнительные материалы:
Из газеты «Наука в Сибири»:
Видео и фотоматериалы:



 
 

Угол День наукиСО РАН1957-2007ДайджестНаучный потенциалШколыЛауреаты УголТень

ТеньТень
[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
  Пожелания и письма: branch@gpntbsib.ru
© 1997-2020 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
 

Отредактировано: Wed Feb 27 14:54:22 2019 (11,938 bytes)
Посещение 1753 с 23.12.2013