От нас ушел человек, беззаветно служивший Родине на всех этапах его долгого и плодотворного жизненного пути. В декабре 1941 г. с отличием досрочно закончив Ленинградский политехнический институт им М.И.Калинина, он уже в январе 1942 г. уходит добровольцем на Ленинградский фронт. Командуя отрядом разведчиков морской пехоты на знаменитом Ораниенбаумовском пятачке и совершая дерзкие рейды в тыл врага, он заслужил первые, боевые награды Родины - ордена Великой отечественной войны I и II степени. Тяжелое ранение в 1943 году, казалось, навсегда закроет для А.В.Ржанова путь в науку, однако он уже в 1948 году блестяще заканчивает аспирантуру Физического института им. Лебедева и начинает первые в СССР работы по созданию полупроводникового транзистора.

В 1962 году уже будучи известным в мире специалистом по полупроводниковой микроэлектронике и физике поверхности полупроводников А.В.Ржанов с группой сотрудников ФИАНа по приглашению академика М.А.Лаврентьева переезжает в новосибирский Академгородок, где организует Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР, впоследствии Институт физики полупроводников СО РАН. За относительно короткое время им был создан творческий коллектив ученых и инженеров, способный решать серьезные фундаментальные и прикладные исследования. Много разработок Института было востребовано различными отраслями народного хозяйства. Достижения коллектива Института были отмечены пятью государственными премиями, премией Совета Министров СССР.

А.В.Ржанов пользовался большим авторитетом в научном сообществе. Он был членом бюро научного совета РАН по физике и химии полупроводников, главным редактором журнала "Микроэлектроника", председателем комиссии по элементной базе комитета АН СССР по вычислительной технике. Многие годы он представлял СССР в Международном союзе по вакуумным исследованиям.

Трудовая деятельность А.В.Ржанова и его заслуги перед отечественной наукой отмечены орденами Ленина, Трудового Красного Знамени, Октябрьской Революции, "За заслуги перед Отечеством" 4 степени.

Много времени А.В.Ржанов отдавал воспитанию научной молодежи. Основатель и долгие годы заведующий кафедрой физики полупроводников Новосибирского государственного университета, он воспитал учеников, ставших в настоящее время основой нынешнего коллектива института. Среди его учеников три члена-корреспондента РАН, много докторов и кандидатов наук.

Память об Анатолии Васильевиче Ржанове - выдающемся ученом и замечательном человеке навсегда сохранится в его работах, в делах его товарищей и учеников, в сердцах всех, кто его знал.

ПРЕЗИДИУМ СО РАН