Изобретения академика РАН А.В.Ржанова (1920-2000)
 Навигация
 
 

Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



Научные школы ННЦ
 

ИЗОБРЕТЕНИЯ А.В.РЖАНОВА ДРУГИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ТРУДЫ А.В.РЖАНОВА

  1. А.с. 218324 СССР, МПК C30B 7/00. Способ выращивания монокристаллических слоев / Ржанов А.В., Строителев С.А., Клименко А.Г., Клименко Э.А.; заявитель Институт физики полупроводников СО АН СССР. – N 1065338/25; заявлено 22.03.66; опубликовано 10.06.00, Бюллетень N 16, ч.2. – С.466.
  2. А.с. 348132 СССР, МПК H 01 L 7/34, H 01 L 21/18. Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам / Клименко Э.А., Ржанов А.В., Александров Л.Н., Клименко А.Г.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 1305098; заявл. 04.02.69; опубл. 25.01.79, Бюл. N 3. - 2 с.
    Титульный лист [jpg 111K]
  3. А.с. 533090 СССР, МПК H 01 L 27/10, G 11 C 17/00. Матрица приборов с зарядовой связью / Ржанов А.В., Черепов Е.И.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2010347; заявл. 01.04.74.; опубл. 28.02.84, Бюл. N 8. - 4 с.
    Титульный лист [jpg 46,2K]
  4. А.с. 667016 СССР, МПК H 01 L 31/00. Способ регистрации светового излучения / Кляус Х.И., Ржанов А.В., Черепов Е.И.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2383854; заявл. 12.07.76; опубл. 28.02.84, Бюл. N 8. - 4 с.: ил.
    Титульный лист [jpg 76,5K]
  5. А.с. 710086 СССР, МПК H 01 L 29/76. Полупроводниковая структура / Ольшанецкий Б.З., Ржанов А.В., Шкляев А.А.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2572310; заявл. 20.01.78; опубл. 15.01.80, Бюл. N 2. - 3 с.: ил.
    Титульный лист [jpg 91,6K]
  6. А.с. 719408 СССР, МПК H 01 L 29/796. Матрица приборов с зарядовой связью / Ржанов А.В., Черепов Е.И.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2615184; заявл. 12.05.78; опубл. 23.06.84, Бюл. N 23. - 6 с.: ил.
  7. А.с. 797406 СССР, МПК G 11 C 11/42. Оптоэлектронный элемент памяти / Ржанов А.В., Черепов Е.И.; Синица С.П.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2803126; заявл. 30.07.79; опубл. 30.08.86, Бюл. N 32. - 3 с.
    Титульный лист [jpg 72,3K]
  8. А.с. 799521 СССР, МПК C 30 B 23/08. Устройство для молекулярнолучевой эпитаксии / Гребнев Н.И., Денисов А.Г., Дорджин Г.С., Крошков А.А., Кузнецов Н.А., Ржанов А.В., Томашевский А.Г., Щекочихин Ю.М.; заявитель Предприятие п/я В-8754, Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 2832992; заявл. 14.08.79.; опубл. 15.11.91, Бюл. N 42. - 4 с.
    Титульный лист [jpg 111K]
  9. А.с. 1233169 СССР, МПК G 06 F 15/347, G 06 F 15/00. Матричный параллельный процессор / Ржанов А.В., Новоселов Н.Д., Кухарев Г.А., Черепов Е.И.; заявитель Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. - N 3777276; заявл. 25.07.84; опубл. 23.05.86, Бюл. N 19. - 16 с.: ил.
    Титульный лист [jpg 62K]

Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Указатель трудовПодготовили Любовь Дмитриева и Сергей Канн  
 


[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2024 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Mon Mar 16 16:55:51 2020. Размер: 9,742 bytes.
Посещение N 4640 с 21.02.2007