Библиография трудов академика А.В.Ржанова за 1949-1968 годы
 Навигация
 
 
Научные школы ННЦ  
Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1949-1968 1969-1979 с 1980 года
 
1949 | 1950 | 1953 | 1954 | 1955 | 1956 | 1957 | 1958 | 1959 | 1960 | 1961 | 1962 | 1963 | 1964 | 1965 | 1966 | 1967 | 1968

  1. Ржанов А.В. Пъезоэффект титана бария / Ржанов А.В. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1949. - Т.19, N 6. - С.502-506. - Библиогр.: 4 назв.
  2. Ржанов А.В. Спонтанная поляризация поликристаллических образцов титана бария / Ржанов А.В. // Журнал экспериментальной и теоретической физики - 1949. - Т.19, N 4. - С.334-345. - Библиогр.: 6 назв.
  3. Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик [pdf 2 Mb] / Ржанов А.В. // Успехи физических наук. - 1949. - Т.38, N 4. - С.461-489. - Библиогр.: 35 назв.
  4. Ржанов А.В. Кристаллические усилители / Ржанов А.В. // Кристаллические детекторы. - М.: Советское радио, 1950. - С.280-311. - Библиогр.: 16 назв.
  5. Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления кристаллических детекторов / Ржанов А.В. // Кристаллические детекторы. - М.: Советское радио, 1950. - С.253-280. - Библиогр.: 38 назв.
  6. Rzhanov A.V. Sponsored by the ONR, the Army Signal Corps, and the munication. USAF. 3 / Rzhanov A.V. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 1950. - V.42, N 6. - P.264.
  7. Ред.: Полупроводниковые электронные приборы. Некоторые вопросы физики и техники германиевых диодов и триодов: сборник переводов / под ред. Ржанова А.В. - M., 1953. - 260 с.
  8. Ржанов А.В. Влияние рекомбинации на контакте на вольтамперную характеристику выпрямителя / Ржанов А.В. // Доклады Академии наук СССР. - 1954. - Т.98, вып.3. - C.389-393. - Библиогр.: 4 назв.
  9. Ржанов А.В. Зависимость времени жизни избыточных носителей зарядов от концентрации равновесных носителей зарядов / Ржанов А.В., Парамонова Р. // Журнал технической физики. - 1955. - Т.25, N 7. - C.1342-1344. - Библиогр.: 2 назв.
  10. Ржанов А.В. Полупроводники и их применение / Ржанов А.В. // Труд. - 1955. - 16 нояб.
  11. Ржанов А.В. Влияние примесей на время жизни избыточных носителей зарядов в германии / Ржанов А.В. // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.7. - С.1389-1393. - Библиогр.: 9 назв.
  12. Ржанов А.В. Исследование поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в образцах германия / Ржанов А.В., Неизвестный И.Г., Росляков В.В. // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.10. - C.2142-2153. - Библиогр.: 8 назв.
  13. Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов / Ржанов А.В. // Радиотехника и электроника. - 1956. - Т.1, N 8. - С.1086-1092. - Библиогр.: 6 назв.
  14. Ржанов А.В. О соотношении поверхностной и объемной рекомбинации в кремниевых триодах с вплавленными электронно-дырочными переходами / Ржанов А.В. // Журнал технической физики. - 1956. - Т.26, вып.1. - С.239-240. - Библиогр.: 4 назв.
  15. Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов / Ржанов А.В. // Радиотехника и электроника. - 1956. - N 8. - С.1086-1092. - Библиогр.: 6 назв.
  16. Ред.: Электрофизические свойства германия и кремния: сб. переводов / под ред. Ржанова А.В. - М.: Сов. радио, 1956. - 391 c.
  17. Ржанов А.В. Влияние примесей на время жизни избыточных носителей зарядов в германии / Ржанов А.В. // Вопросы металлургии и физики полуроводников. - М.: Изд-во АН СССР, 1957. - С.133-137. - Библиогр.: 8 назв.
  18. Ржанов А.В. Иccледование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // Журнал технической физики. - 1957. - Т.27, вып.11. - C.2440-2450. - Библиогр.: 10 назв.
  19. Ржанов А.В. Создатели "транзистора": к присуждению нобелевской премии 1956 по физике американским ученым В.Шекли, Дж.Бардину и В.Браттейну / Ржанов А.В. // Природа. - 1957. - N 3. - C.49-50.
  20. Ржанов А.В. Исследование энергетических положений и эффективных сечений захвата поверхностных рекомбинационных уровней в германии / Ржанов А.В., Павлов Н.М., Селезнева М.А. // Журнал технической физики. - 1958. - Т.28, вып.12. - С.2645-2656. - Библиогр.: 10 назв.
  21. Ржанов А.В. Курсы интернациональной физической школы в Италии // Вестник Академии наук СССР. - 1958. - N 2. - C.87-88.
    Курсы интернациональной физической школы при Итальянском физическом обществе. Заметки слушателя о работе летних курсов 1957 г.
  22. Ржанов А.В. О применимости метода измерения скорости поверхностной рекомбинации по изменению сопротивления полупроводника в магнитном поле / Ржанов А.В., Архипова И.А., Бидуля В.Н. // Журнал технической физики. - 1958. - Т.28, вып.5. - С.1051-1052. - Библиогр.: 5 назв.
  23. Ржанов А.В. К вопросу о природе поверхностных центров рекомбинации на германии / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // Физика твердого тела. - 1959. - Т.1, N 9. - C.1471-1474. - Библиогр.: 4 назв.
  24. Ржанов А.В. О корелляции между отношением сечений захвата и энергическим положением уровня поверхностных центров рекомбинации в германии / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1959. - Т.1, N 3. - С.522-524. - Библиогр.: 5 назв.
  25. Ржанов А.В. Ежегодная конференция по физической электронике // Вестник Академии наук СССР. - 1960. - N 7. - C.84.
  26. Ржанов А.В. Конференция по физике полупроводников (Прага, авг-сент., 1960 г.) // Вестник Академии наук СССР. - 1960. - N 12. - C.46-48.
  27. Ржанов А.В. О применимости метода стационарной фотопроводимости для исследования зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1960. - Т.2, N 10. - С.2431-2438. - Библиогр.: 12 назв.
  28. Ржанов А.В. К вопосу о теории поверхностной рекомбинации в полупроводниках / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 12. - С.3698-3705. - Библиогр.: 16 назв.
  29. Ржанов А.В. Об изменении поверхностного заряда на германии при прогревах образцов в вакууме / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 6. - С.1718-1722.- Библиогр.: 12 назв.
  30. Ржанов А.В. О влиянии адсорбции молекул на германии на параметры поверхностных центров рекомбинации / Ржанов А.В., Неизвестный И.Г. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 11. - С.3317-3323. - Библиогр.: 6 назв.
  31. Ржанов А.В. О поверхностных уровнях на германии по данным фотопроводимости в инфракрасной области спектра / Ржанов А.В., Плотников А.Ф. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 5. - С.1557-1560. - Библиогр.: 14 назв.
  32. Ржанов А.В. О природе поверхностных центров рекомбинации на германии / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // Физика твердого тела. - 1961.- Т.3 , N 3. - C.822-831. - Библиогр.: 13 назв.
  33. Ржанов А.В. О температурной зависимости параметров поверхностных центров рекомбинации в германии / Ржанов А.В., Павлов Н.М., Селезнева М.А. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 3. - С.832-840. - Библиогр.: 8 назв.
  34. Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация в германии при повышенных уровнях инъекции / Ржанов А.В., Архипова И.А. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 7. - С.1954-1956. - Библиогр.: 8 назв.
  35. Ржанов А.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1961. - Т.3, N 12. - С.3691-3697. - Библиогр.: 7 назв.
  36. Гуро А.В. Кинетика неравновесной проводимости при высоких уровнях генерации / Гуро А.В., Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 12. - С.3441-3445. - Библиогр.: 5 назв.
  37. Парамонова Р.А. Исследование объемной рекомбинации в кристаллах германия с примесью меди / Парамонова Р.А., Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 7.- С.1820-1825. - Библиогр.: 13 назв.
  38. Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на реальной поверхности германия / Ржанов А.В. // Поверхностные свойства полупроводников. - М., 1962. - С.101-114. - Библиогр.: 16 назв.
  39. Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и захват посредством непрерывного спектра поверхностных уровней / Ржанов А.В. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 5. - С.1279-1284. - Библиогр.: 7 назв.
  40. Ржанов А.В. Рекомбинация на поверхности германия, адсорбировавшей большое количество воды / Ржанов А.В., Архипова И.А. // Физика твердого тела. - 1962. - Т.4, N 5. - С.1274-1278. - Библиогр.: 10 назв.
  41. Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия: дис. ... д-ра физ. наук / Ржанов А.В. - М.: Изд-во АН СССР, 1963. - 125 с. - Библиогр.: C.123-125.
  42. Ржанов А.В. Исследование некоторых электронных процессов на поверхности германия (по материалам диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук) / Ржанов А.В. // Исследования полупроводников и диэлектриков: труды физического ин-та им. П.И.Лебедева. - М.: Изд-во АН СССР, 1963. - Т.XX. - С.3-125. - Библиогр.: 130 назв.
  43. Novototsky-Vlasov Yu.F. The origin of recombination centers on the real germanium surface / Novototsky-Vlasov Yu.F., Rzhanov A.V. // Surface Science. - 1964. - N 2. - P.93-100. - Bibliogr.: 6 ref.
  44. Rzhanov A.V. Investigation of some electron processes on a real surface of germanium (Surface recombination and carrier capture centers on real surface of germanium subjected to various surface treatments) / Rzhanov A.V. // Surface properties of semiconductors: proceedings of the conference on the surface properties of semiconductors. - New York: Consultants bureau, 1964. - P.70-78. - Bibliogr.: 16 ref.
  45. Кравченко А.Ф. Продольный эффект Холла в кубических кристаллах / Кравченко А.Ф., Ржанов А.В., Сардарян В.С. // Доклады Академии наук СССР. - 1965. - Т.164, вып.5. - C.1016-1018. - Библиогр.: 5 назв.
  46. Иccледование поверхностной фотопроводимости германия / Ржанов А.В.,Свиташев К.К., Филатова Е.С., Шепель В.М. // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 3. - С.758-766. - Библиогр.: 8 назв.
  47. Ржанов А.В. О влиянии захвата неравновесных носителей заряда поверхностными дефектами на спектр собственной фотопроводимости тонкого образца германия / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Шепель В.М. // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 6. - С.1955-1957. - Библиогр.: 3 назв.
  48. Ржанов А.В. План или доверие (проблемы развития сов. науки) // Известия. - 1964. - 5 апр. - С.2.
  49. Ржанов А.В. Фотопроводимости тонкого образца германия при 77 ° К / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Шепель В.М. // Физика твердого тела. - 1966. - Т.8, N 9. - С.2777-2779. - Библиогр.: 5 назв.
  50. Investigation of the surface photoconductivity of germanium (Surface photoconductivity dependence on thermal and spectral state and time lag of germanium) / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Filatova E.S., Shepel V.M. // Soviet Physics-Solid State. - 1966. - V.8, N 3. - P.607-613. - Bibliogr.: 8 ref.
  51. Kravchenko A.F. Longitudinal Hall effect in cubic crystals / Kravchenko A.F., Rzhanov A.V., Sardarian V.S. // Soviet Physics-doklady. - 1966. -V.10, N 4. - P.946-948. - Bibliogr.: 5 ref.
  52. Васильева Л.Л. Исследования сульфидированной поверхности германия / Васильева Л.Л., Покровская С.В., Ржанов А.В. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.18-21. - Библиогр.: 6 назв.
  53. Ржанов А.В. Измерение Фотоэдс Холла на тонких образцах германия / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Панькин В.Г. // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, Вып.4. - С.526-534. - Библиогр.: 17 назв.
  54. Ржанов А.В. Исследования влияния прогревов в вакууме на электрофизические параметры поверхности германия / Неизвестный И.Г., Луцевич Л.В., Ржанов А.В. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.97-101. - Библиогр.: 5 назв.
  55. Ржанов А.В. О роли рекомбинационного процесса в приповерхностной области пространственного заряда полупроводника / Ржанов А.В., Ковалевская Т.И. // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Т.1, Вып.11. - С.1724-1727. - Библиогр.: 8 назв.
  56. Ржанов А.В. Физики выращивают монокристаллы / Ржанов А., Синица С. // Наука и техника. - 1967. - N 1. - С.18.
  57. Ржанов А.В. Электрофизические свойства эпитаксиальных переходов Ga-As-Ge / Ржанов А.В., Марончук И.Е., Шумский В.Н. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.224-229. - Библиогр.: 8 назв.
  58. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных переходов Ga-As-Ge / Ржанов А.В., Лисенкер Б.С., Марончук И.Е., Марончук Ю.Е., Шумский В.Н. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. - Новосибирск, 1967. - C.219-223. - Библиогр.: 9 назв.
  59. Rzhanov A.V. Measurements of the Hall photo-EMF in thin samples of germanium / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Pankin V.G. // Soviet Physics-Solid State. -1967. - V.1, N 4. - P.437-443, - Bibliogr.: 17 ref.
  60. Rzhanov A.V. Photoconductivity quenching spectra of a thin sample of germanium at 77 c / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Shepel V.M. // Soviet Physics-Solid State. - 1967. - V.8, N 9. - P.2216-2218. - Bibliogr.: 5 ref.
  61. Ред.: Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск, 1967. - 240 c.
  62. Ред.: Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников: труды симпозиума / отв. ред. Ржанов А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1967. - 240 c.
  63. Оcобенности кристаллизации монокристаллических слоев германия из жидкой фазы на неориентирующих подложках / Ржанов А.В., Клименко Э.А., Клименко А.Г., Строителев С.А. // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Ч.1. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1968. - Т.1, Вып.2. - С.506-515. - Библиогр.: 17 назв.
  64. Ржанов А.В. Духовная зарядка ученого: рядом с интересным собеседником / Беседу вела О.Александрова // Советская культура. - 1968. - 31 авг. (N 103).
  65. Ржанов А.В. Исследование поверхности Fe с помощью спектроскопии полного внутреннего отражения. I. / Ржанов А.В., Синюков М.П. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Вып.2, N 4. - С.504-513. - Библиогр.: 14 назв.
  66. Ржанов А.В. Исследование поверхности Fe с помощью спектроскопии полного внутреннего отражения. II. / Ржанов А.В., Синюков М.П. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Вып.2, N 4. - С.514-518. - Библиогр.: 7 назв.
  67. Ржанов А.В. Перспективы использования эпитаксиальной технологии арсенида галлия для создания интегральных монокристаллических микросхем / Ржанов А.В., Марончук Ю.Е. // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Ч.1. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1968. - С.63-78. - Библиогр.: 17 назв.
  68. Ржанов А.В. Применение фотомагнитного эффекта для изучения объемной поверхностной рекомбинации в монокристаллических слоях германия на сапфире / Ржанов А.В., Клименко А.Г., Клименко Э.А.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 1968. - 15 c.
  69. Ржанов А.В. Спектр примесей поверхностной фотопроводимости тонкого образца германия п-типа / Ржанов А.В., Свиташев К. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Вып.2., N 5. - С.739-741. - Библиогр.: 7 назв.
  70. Ржанов А.В. Эпитаксиальные слои арсенида галлия с высокой подвижностью электронов / Ржанов А.В., Лисенкер Б.С., Марончук И.Е. Марончук Ю.Е., Шерстяков А.П. // Физика и техника полупроводников. - 1968. - Вып.2., N 5. - С.714-720. - Библиогр.: 12 назв.
  71. Epitaxial gallium arsenide films with a high electron mobility // Rzhanov A.V., Lisenker B.S., Maronchuk I.E, Maronchuk Iu.E. // Soviet Physics: Semiconductors. - 1968. - V.2, N 5, - P.593-597. - Bibliogr.: 12 ref.
  72. Kovalevskaia T.I. Role of recombination process in the surface space charge region of a semiconductor / Kovalevskaia T.I., Rzhanov A.V. // Soviet Physics: Semiconductors. - 1968. - V.1, N 11. - P.1428-1431. - Bibliogr.: 8 ref.
  73. Rzhanov A.V. Investigation of the surface of Ge by total internal reflection spectroscopy Pt.1 / Rzhanov A.V., Sinyukov M.P. // Soviet Physics: Semiconductors. - 1968. - V.2, N 4. - P.416-423. - Bibliogr.: 14 ref.
  74. Rzhanov A.V. Investigation of the surface of Ge by total internal reflection spectroscopy Pt.2 / Rzhanov A.V. // Soviet Physics: Semiconductors. - 1968. - V.2, N 4. - P.424-427. - Bibliogr.: 7 ref.
  75. Rzhanov A.V. Extrinsic surface photoconductivity spectrum of a thin n-type germanium sample Rzhanov A.V., Svitashev K.K. // Soviet Physics: Semiconductors. - 1968. - V.2, N 5, - P.613-614. - Bibliogr.: 7 ref.
ПродолжениеПродолжение1969-1979 гг.
 
Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Виктория Лукьянова и Сергей Канн  
 

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2018 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Thu Apr 5 16:44:14 2018. Размер: 28,716 bytes.
Посещение N 4650 с 12.12.2006