Библиография трудов академика А.В.Ржанова с 1980 г. по настоящее время
 Навигация
 
 

Научные школы ННЦ  
Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды
 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1949-1968 1969-1979 с 1980
 
1980 | 1981 | 1982 | 1983 | 1984 | 1985 | 1986 | 1987 | 1988 | 1989 | 1990 | 1991 | 1993 | 2002 | 2020

  1. Бакланов М.Р. Растворение монокристаллов германия и кремния в парах XeF2 / Бакланов М.Р., Репинский С.М., Ржанов А.В. // Доклады Академии наук СССР. - 1980. - Т.253, вып.4. - C.884-886. - Библиогр.: 7 назв.

  2. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур / Гузев А.А., Гуртов В.А., Ржанов А.В., Французов А.А. // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т.14, вып.4. - С.769-775. - Библиогр.: 12 назв.

  3. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур со сверхтонким диэлектриком / Гузев А.А., Гуртов В.А., Ржанов А.В., Французов А.А. // Междунар. конф. по радиационной физике полупроводников (Киев, 1980). - Киев, 1980. - С.133.

  4. Овсюк В.Н. Электрофизические свойства тонких пленок полупроводников / Овсюк В.Н., Ржанов А.В.; Министерство высшего и средне-специального образования РСФСР, Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола. - Новосибирск: НГУ, 1980. - 95 с.

  5. Ольшанецкий Б.З. Одномерная периодическая структура на высокоиндексных поверхностях кремния / Ольшанецкий Б.З., Ржанов А.В. // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". - 1980. - Вып.32, N 5. - С.337-340. - Библиогр.: 10 назв.

  6. Определение спектральной зависимости приповерхностного фотовозбуждения за краем фундаментального поглощения полупроводника с использованием ПЗС / Кляус Х.И., Овсюк В.Н., Ржанов А.В., Сердюк Ю.Н., Черепов Е.И. // 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1980. - Ч.1. - С.89-90.

  7. Приповерхностная область пространственного заряда германия при учете квантовых эффектов / КвонЗ.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1980. - Ч.1. - С.78-79. - Библиогр.: 2 назв.

  8. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / Болотов В.В., Коротченко В.А., МамонтовА.П., Ржанов А.В., СмирновЛ.С., Шаймеев С.С. // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т.14, вып.11. - С.2257-2260. - Библиогр.: 9 назв.

  9. Ржанов А.В. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярых пучков / Ржанов А.В., Стенин С.И., Ольшанецкий Б.З. // Микроэлектроника. - 1980. - Т.9, вып.4. - С.292-301. - Библиогр.: 56 назв.

  10. Ржанов А.В. От редактора / Ржанов А.В. // Современные проблемы эллипсометрии: сборник статей. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.3.

  11. Ржанов А.В. Эллипсометрия – эффективный метод исследования поверхности твердых тел и тонких пленок / Ржанов А.В. // Современные проблемы эллипсометрии: сборник статей. - Новосибирск: Наука, 1980. - С.4-11.

  12. Influence of electron irradiation on the Hall mobility of holes in inversion layers of metal–oxide–semiconductor structures / Guzev A.A., Gurtov V.A., Rzhanov A.V., Frantsuzov A.A. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1980. - Vol.14, N 4. - P.451-454. - Bibliogr.: 12 ref.

  13. Ol'shanetski B.Z. One-dimensional periodic structure on high-index silicon surfaces / Ol'shanetski B.Z., Rzhanov A.V. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. Letters. - 1980. - Vol.32, N 5. - P.313-315. - Bibliogr.: 10 ref.

  14. Radiation effects in semiconductors at low particle-radiation doses / Bolotov V.V., Korotchenko V.A., Mamontov A.P., Rzhanov A.V., Smirnov L.S., Shameev S.S. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1980. - Vol.14, N 11. - P.1337-1339. - Bibliogr.: 9 ref.

  15. Ред.: Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / Бурыкин И.Г., Воробьева Л.П., Грушецкий В.В. и др.; отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1980. - 186 с.

  16. Ред.: 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. В 2 ч. Ч.1. / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск, 1980. - 163 с.

  17. Ред.: Современные проблемы эллипсометрии: сб. статей / под. ред. Ржанова А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1980. - 192 с.

  18. Ржанов А.В. Cовершенствовать труд ученого: из опыта работы коллектива Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР / Ржанов А.В., Свиташев К. // Вечерний Новосибирск. - 1981. - 24 марта.

  19. Ржанов А.В. Предисловие редактора перевода / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Аззам Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Аззам Р., Башара Н.; перевод с английского под редакцией А. В. Ржанова, К. К. Свиташева. - Москва: Мир, 1981. - С.5-8.

  20. СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников / Ржанов А.В., Герасименко Н.Н., Васильев С.В., Ободников В.И. // Письма в журнал технической физики. - 1981. - Т.7, вып.20. - С.1221-1223. - Библиогр.: 5 назв.

  21. Microwave heating as a means of semiconductor heat treatment / Rzhanov A.V., Gerasimenko N.N., Vasilev S.V., Obodnikov V.I. // Soviet Physics - Technical Physics Letters. - 1981. - Vol.7, N 10. - P.521-522. - Bibliogr.: 5 ref.

  22. Ред.: Аззам Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Аззам Р., Башара Н.; пер. с англ. под ред. Ржанова А.В., Свиташева К.К. - М.: Мир, 1981. - 583 c.

  23. Гершинский А.Е. Образование пленок силицидов на кремнии / Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1982. - N 2. - С.1-12. - Библиогр.: 34 назв.

  24. Гершинский А.Е. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике / Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, вып.2. - С.83-94. - Библиогр.: 65 назв.

  25. Кляус Х.И. Исследование фотогенерации за краем фундаментального поглощения кремния в приборах с зарядовой связью / Кляус Х.И., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т.16, вып.7. - С.1239-1343. - Библиогр.: 12 назв.

  26. Ржанов А.В. Анализ ближнего порядка в пленках нитрида кремния / Ржанов А.В., Зайцев Б.Н., Эдельман Ф.Л. // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.266, вып.6. - C.1381-1384. - Библиогр.: 10 назв.

  27. Ржанов А.В. О некоторых перспективах эффективности научных исследований / Ржанов А.В. // Методологические и философские проблемы физики. - Новосибирск: Наука, 1982. - С.22-31.

  28. Ржанов А.В. О некоторых путях повышения эффективности фундаментальных научных исследований // Вестник Академии наук СССР. - 1982. - N 2. - C.42-47.

  29. Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, вып.6. - С.499-511. - Библиогр.: 21 назв.

  30. Скринский А.Н. Методологические и философские проблемы физики / сост.: Скринский А.Н., Кутателадзе С.С., Ржанов А.В. - 1982. - 336 с.

  31. Электронные процессы в тонких пленках / Александров Л., Кравченко А., Неизвестный И., Ржанов А., Синица С., Стенин С., Чаплик А. // Наука в Сибири. - 1982. - N 32. - С.1,3.

  32. Эллипсометрический метод определения качества обработки поверхности / Ржанов А.В., Свиташева С.Н., Свиташев К.К., Соколов В.К., Ашкеров Ю.В., Осадчев Л.А., Цеснек Л.С. // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.267, вып.2. - C.373-376. - Библиогр.: 10 назв.

  33. Ellipsometric method of determining the quality of surface processing / Rzhanov A.V., Svitasheva S.N., Svitashev K.K., Sokolov V.K., Ashkerov Yu.V., Osadchev L.A., Tsesnek L.S. // Soviet Physics - Doklady. - 1982. - Vol. 27, N 11. - P.967-969.

  34. Gershinskii A.E. Silicide thin films in microelectronics / Gershinskii A.E., Rzhanov A.V., Cherepov E.I. / Soviet Microelectronics. - 1982. - Vol.11, N 2. - P.51-59. - Bibliogr.: 65 ref.

  35. Investigation of optical generation of carriers beyond the fundamental adsorption edge of silicon in charge-coupled devices // Klyaus Kh.I., Ovsyuk V.N., Rzhanov A.V., Serdyuk Yu.N., Cherepov E.I. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1982. - Vol.16, N 7. - P.791-794. - Bibliogr.: 12 ref.

  36. Zaitsev B.N. Analysis of short-range order in silicon-nitride films / Zaitsev B.N., Rzhanov A.V., Edelman F.L. // Soviet Physics - Doklady. - 1982. - Vol.27, N 10. - P.884-886.

  37. Ред.: Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / Двуреченский А.А., Качурин Г.А., Нидаев Е.Д., Смирнов Л.С.; отв. ред. Ржанов А.В. - М: Наука, 1982. - 208 с. - Библиогр. в конце глав.

  38. Ред.: Методологические и философские проблемы физики / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т теплофизики; ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, 1982. - 336 с.

  39. Ред.: Нитрид кремния в электронике / Белый В.И., Васильева Л.Л., Грищенко В.А. и др.; отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1982. - 200 c.

  40. ОЖЕ и ЭСХА- профилирование пленок нитрида кремния после окисления / Ждан П.А., Низовский А.И., Ржанов А.В., Эдельман Ф.Л. // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, вып.2. - С.334-336. - Библиогр.: 12 назв.

  41. Ржанов А.В. Графический метод интерпритации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях / Ржанов А.В., Свиташова С.Н., Свиташев К.К. // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, вып.5. - С.1123-1126. - Библиогр.: 6 назв.

  42. Ржанов А.В. МДП-микроэлектроника. Проблемы и перспективы развития: науч. сообщение // Вестник Академии наук СССР. - 1983. - N 2. - C.98-106.

  43. Ржанов А.В. Требуется уточнить предмет и понятие информатики // Наука в Сибири. - 1983. - 8 сент. (N 35). - С.2.

  44. Ржанов А.В. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок / Ржанов А.В., Свиташев К.К.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников // Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сб. статей. - Новосибирск: Наука: Сиб. отд-ние, 1983. - С.3-6.

  45. Auger and ESCA depth profiling of silicon-nitride films after oxidation / Zhdan P.A., Nizovskii A.I., Rzhanov A.V., Edelman F.L. // Soviet Physics - Doklady. - 1983. - V.28, N 11. - P.964-965.

  46. Bentsion Moiseevich Vul: on his eightieth birthday 1983 / Nikol'skii N.G., Plotnikov A.F., Rzhanov A.V., Shotov A.P. // Soviet Physics - Uspekhi. - 1983. - Vol.26, N 5. - P.462-463.

  47. Numerical simulation of the phase memory in nonlinear active media with diffusion / Rzhanov A.V., Rzhanov Yu.A., Balkarei Yu.I., Elinson M.I., Golik L.L. // NASECODE III. Proceedings of the Third International Conference on the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits (Galway, Ireland 1983). - Dublin: Boole Press, 1983. - P.242-251.

  48. Rzhanov A.V. Graphical method of interpreting the results of ellipsometric measurements on rough surfaces / Rzhanov A.V., Svitasheva S.N., Svitashev K.K. // Soviet Physics - Doklady. - 1983. - V. 28, N 12. - P.1059-1061.

  49. Ред.: Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сб. матер. всесоюзн. конф. / отв. ред. Ржанов А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1983. - 180 с.

  50. Лазерные методы очистки материалов электронной техники / Яценко А.С., Косолобов С.Н., Ржанов А.В., Щекочихин Ю.М., Остаповский Л.М. - М.: ЦНИИ "Электроника", 1984. - 60 c. - Библиогр.: 15 назв.

  51. Ржанов А.В. Молекулярная эпитаксия: состояние вопроса, проблемы и перспективы развития / Ржанов А.В., Стенин С.И.; отв. ред. Александров Л.Н.; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, Ин-т неорганической химии // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: матер. VI всесоюзн. конф. (Новосибирск, 1982 г.). - Новосибирск: Наука: Сибирское отд-ние, 1984. - Ч.1. - С.5-34. - Библиогр.: 92 назв.

  52. Ржанов А.В. Предельные энергетические характеристики прямого преобразования солнечного излучения / Ржанов А.В., Чукова Ю.П. // Доклады Академии наук СССР. - 1984. - Т.276, вып.6. - С.1385-1388. - Библиогр.: 15 назв.

  53. Rzhanov A.V. Limiting energy characteristics of direct conversion of solar energy / Rzhanov A.V., Chukova Yu.P. // Soviet Physics - Doklady. - 1984. - V.29, N 6. - P.496-497.

  54. Ред.: Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / отв. ред. Ржанов А.В., Овсюк В.Н. - Новосибирск: Наука, 1984. - 254 c.

  55. Аналитическая аппаратура и технологическое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии / Анашин В.В., Емелин Г.Г., Кантер Б.З., Мигаль В.П., Погодаев Е.Я., Пчеляков О.П., Ржанов А.В.,Стенин С.И., Торопов А.И. - Новосибирск, 1985. - 59 с. - Библиогр.: 229 назв. - (Препринт / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - 1985. - N 1).

  56. Вул Бенцион Моисеевич: некролог / Алиев Г.А., Воротников В.И., Гришин В.В., Романов Г.В., Долгих В.И., Зимянин М.В., Александров А.П., Марчук Г.И., Медведев В.А., Григорьев В.А., Котельников В.А., Велихов Е.П., Коптюг В.А., Логунов А.А., Овчинников Ю.А., Федосеев П.Н., Фролов К.В., Яншин А.Л., Скрябин Г.К., Прохоров А.М., Басов Н.Г., Вонсовский С.В., Тучкевич В.М., Алферов З.И., Вайнштейн Б.К., Валиев К.А., Гинзбург В.Л., Гуляев Ю.В., Девятков Н.Д., Келдыш Л.В., Курдюмов Г.В., Осипян Ю.А., Пожела Ю.К., Ржанов А.В., Скобельцын Д.В. // Вестник Академии наук СССР. - 1985. - N 6. - С.95-96.

  57. Установка для эпитаксии из молекулярных пучков с автоматическим эллипсометром / Архипенко А.В., Блюмкина Ю.А., Ламин М.А., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Стенин С.И., Козлов Н.И., Крошков А.А., Ржанов А.В. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1985. - Вып.1. - С.93-96. - Библиогр.: 6 назв.

  58. Исследование спектров комбинационного рассеяния света поликристаллических пленок халькогенидов свинца в области валентных колебаний адсорбированного кислорода / Ипатова И.П., Иванов Е.В., Косолобов С.Н., Ржанов А.В., Субашиев А.В., Щекочихин Ю.М. // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Т.20, вып.2. - С.243-247. - Библиогр.: 9 назв.

  59. Микроморфология эпитаксиальных пленок InAs при росте из молекулярных пучков на подложках GaAs / Кантер Ю.О., Торопов А.И., Ржанов А.В., Стенин С.И., Гаврилова Т.А. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1986. - Вып.9. - С.83-87. - Библиогр.: 11 назв.

  60. Ржанов А.В. II международная конференция по модулированным полупроводниковым структурам (Киото, Япония) / Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1986. - Т.15, вып.3. - С.195-202.

  61. Сдвиг края поглощения в облученном аморфном нитриде кремния / Гриценко В.А., Ржанов А.В., Синица С.П., Федченко В.И., Феофанов Г.Н. // Доклады Академии наук СССР. - 1986. - Т.287, вып.6. - C.1381-1383. - Библиогр.: 10 назв.

  62. Широкий взгляд / Ржанов А., Неизвестный И., Скубневский З., Щекочихина Р., Мардежов А. // Наука в Сибири. - 1986. - 31 июля. - С.7.
    О Свиташеве К.К.

  63. A molecular beam epitaxy system with automatic ellipsometer / Arkhipenko A.V., Blyumkina Yu.A., Lamin M.A., Pchelyakov O.P., Sokolov L.V., Stenin S.I., Kozlov N.I., Kroshkov A.A., Rzhanov A.V. // Physics Chemistry and Mechanics of Surfaces. - 1986. - V.4, N 1. - P.181-188.

  64. Investigation of the Raman scattering spectra of polycrystalline lead chalcogenide films in the region of valence vibrations of adsorbed oxygen / Ipatova I.P., Ivanov E.V., Kosolobov S.N., Subashiev A.V., Shchekochikhin Yu.M., Rzhanov A.V. // Soviet Physics Semiconductors. - 1986. - Vol.20, N 2. - P.153-155. - Bibliogr.: 9 ref.

  65. Molecular beam epitaxycal growth of germanium and silicon films: surface structure, film defects and properties / Rzhanov A.V., Stenin S.I., Pchelyacov O.P., Kanter B.Z. // Thin Solid Films. - 1986. - Vol.139, N 2. - P.169-175. - Bibliogr.: 12 ref.

  66. Shift of the absorption edge in irradiated amorphous silicon nitride / Gritsenko V.A., Rzhanov A.V., Sinitsa S.P., Fedchenko V.I., Feofanov G.N. // Soviet Physics - Doklady. - 1986. - Vol.31, N 4. - P.341-342. - Bibliogr.: 10 ref.

  67. Structure of annealed polycrystalline silicon films. I. Recrystallization / Edelman F. L., Heydenreich J., Hoehl D., Matthai J., Melnik I., Rzhanov A., Voelskov M., Werner P. // Physica status solidi. A. - 1986. - Vol.98, N 2. - P.383-390. - Bibliogr.: 18 ref.

  68. Edit.: Electronic Structure and Optical Properties of Silicon Nitride, Silicon Nitride in Electronics / edited by A.V.Rzhanov. - New York: Elsevier, 1986. - 234 p.

  69. Вьюн В.А. Акустоэлектронные методы исследования поверхности полупроводников / Вьюн В.А., Ржанов А.В., Яковкин И.В.; ред. Богданова С.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 1987. - 126 c. - Библиогр.: 229 назв.

  70. Молекулярно-лучевая эпитаксия как метод создания модулированных полупроводниковых структур / Неизвестный И.Г., Ржанов А.В., Стенин С.И., Шумский В.Н. // Проблемы кристаллографии. - М.: Наука, 1987. - C.190-214. - Библиогр.: 88 назв.

  71. Ржанов А.В. В гостях у академика / Ржанов А.В.// Известия. - 1987. - 25 окт. - С.2.

  72. Ржанов А.В. Контроль параметров сверхрешеток в процессе их получения методом эллипсометрии / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С. // Доклады Академии наук СССР. - 1987. - Т.297, вып.3. - C.604-607. - Библиогр.: 5 назв.

  73. Monitoring of superlattice parameters during ellipsometric measurements / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Mardezhov A.S., Shvets V.A. // Soviet Physics - Doklady. - 1987. - Vol.32, N 11. - P.930-932. - Bibliogr.: 5 ref.

  74. Spin-flip detector-spectrometer of IR laser radiation / Vdovin A.V., Rzhanov A.V., Skok E.M., Studenikin S.A. // International Measurement Confederation: 13th International Symposium of the Technical Committee on Photonic Measurements (Photon-Detectors): Proceedings, Braunschweig, West Germany. - Budapest: IMEKO Secretariat, 1987. - P.246-248.

  75. Ред.: Эллипсометрия: теория, методы, приложения: материалы конф. (Новосибирск, 9-11 июля 1985 г.) / Отв. ред. Ржанов А.В.; Ильина Л.А. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1987. - 192 с.

  76. Гистерезис высокочастотного эффекта поля в структурах Al/Sio2/ Si / Вьюн В.А., Ржанов А.В., Юмашев В.Н., Яковкин И.Б. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников, IX всесоюзн. симпозиум (Новосибирск, 15-17 июня 1988 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1988. - Ч.1. - C.102-103.

  77. Гуртов В.А. Моделирование и экспериментальное исследование краевого лавинного пробоя в МДП структурах / Гуртов В.А., Ржанов Ю.А., Сергеев М.С. // Тезисы докл. всесоюз. совещ. по лавинным фил-приборам (Ростов-Ярославльский, 9-14 окт.). - Ростов-Ярославльский, 1988. - С.11.

  78. Основное уравнение эллипсометрии для сверхрешеток / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С., Швец В.А. // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.298, вып.4. - С.862-866. - Библиогр.: 5 назв.

  79. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (III) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / Латышев А.В., Асеев А.Л., Красильников А.Б., Ржанов А.В., Стенин С.И. // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.300, вып.1. - C.84-88. - Библиогр.: 16 назв.

  80. Behavior of monatomic steps on the silicon (111) surface upon sublimation when heated by an electric current / Latyshev A.V., Aseev A.L., Krasil'nikov A.B., Rzhanov A.V., Stenin S.I. // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - Vol.33, N 5. - P.352-354. - Bibliogr.: 16 ref.

  81. Belyi V.I. Silicon nitride in electronics / Belyi V.I., Rzhanov A.V.. - Amsterdam; New York: Elsevier, 1988. - viii, 263 p. - (Materials Science Monographs; Vol.34).

  82. Fundamental equation of ellipsometry for superlattices // Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Mardezhov A.S., Shvets V.A. // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - Vol.33, N 2. - P.146-148. - Bibliogr.: 5 ref.

  83. Molecular-Beam Epitaxy as a Method of Creating Modulated Semiconductor Structures / Neizveslnyy I.G., Rzhanov A.V., Stenin S.I., Shumskiy V.N. // Modern crystallography. - Commack [N.Y.]: Nova Science Publishers, 1988. - P. 202.

  84. Ред.: Современные проблемы эллипсометрии / отв. ред. Ржанов А.В.; Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1988. - 192 с.

  85. Ред.: Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников: cб. науч. тр. / отв. ред. Ржанов А.В., С.М.Репинский; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1988. - 240 c.

  86. Edit.: Silicon nitride in electronics / Belyi V.I., Vasilyeva L.L., Ginovker A.S.; edited by A.V.Rzhanov. - Amsterdam: Elsevier, 1988. - 263 p. - Bibliogr.: 34 ref.

  87. Мультистабильность высокочастотного эффекта поля в структурах AI/ZnO/SiO2 / Вьюн В.А., Ржанов А.В., Юмашев В.Н., Яковкин И.Б. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1989. - Вып.6. - С.110-115. - Библиогр.: 19 назв.

  88. Памяти Ильи Абрамовича Гелинского / Балакирев М.К., Богданов С.В., Дыхне А.М., Ржанов А.В., Покровский В.Г., Чаплик А.В., Покровский В.Л., Саввиных С.К., Сурдутович Г.И. // Физика твердого тела. -1989. - Т.31, N 6. - С.312-313. - Bibliogr.: 10 ref.

  89. Ржанов А.В. Сколько можно отставать ...: блеск научных идей и нищета технического прогресса / Ржанов А.В., Свиташев К., Стенин С. // Известия. - 1989. - 3 окт. - С.3.

  90. Il'ya Abramovich Gilinski / Balakirev M.K., Batyev E.G., Bogdanov S.V., Dykhne A.M., Rzhanov A.V., Pokrovski V.L., Chaplik A.V., Savvinykh S.K., Surdutovich G.I. // Soviet Physics - Solid State. - 1989. - Vol.31, N 6. - P.1096-1097. - Bibliogr.: 10 ref.

  91. Spin-flip detector-spectrometer of IR laser radiation / Vdovin A.V., Rzhanov A.V., Skok E.M., Studenikin S.A. // Izvestiya po Khimiya Bulgarska Akademiya na Naukite (Bulgarian Chemical Communications). - 1989. - Vol.22, N 3-4. - P.613-614.

  92. Бакланов М.Р. Сверхмонослойная адсорбция в реакциях окисления и травления полупроводников / Бакланов М.Р., Репинский С.М., Ржанов А.В. // Кинетика и катализ. - 1990. - Т.31, вып.2. - С.292-305.

  93. Ржанов А.В. Свобода важнее всего: [Интервью с академиком Ржановым А.В.] / Ржанов А.В.; подготовила Н. Бородина // Наука в Сибири. - 1990. - N 11. - С.6.

  94. Состав и строение аморфного нитрида кремния, обогащенного кремнием / Болотин В.П., Ржанов А.В., Брютов И.А., Гриценко В.А. // Доклады Академии наук СССР. - 1990. - Т.310, вып.1. - C.114-117. - Библиогр.: 13 назв.

  95. Baklanov M.R. Multilayer adsorption in reactions of oxidation and etching of semiconductors / Baklanov M.R., Repinskii S.M., Rzhanov A.V. // Kinetics and Catalysis. - 1990. - Vol.31, N 2. - P.249-261.

  96. Кирилл Сергеевич Александров / Барков Л.М., Вайнштейн Б.К., Кругляков Е.П., Ржанов А.В., Рютов Д.Д., Симонов В.И., Скринский А.Н., Шувалов Л.А., Чириков Б.В. // Успехи физических наук. - 1991. - Т.161, N 1. - С.189-190.

  97. Kirill Sergeevich Aleksandrov: on his sixtieth birthday / Barkov L.M., Vainshtein B.K., Kruglyakov E.P., Rzhanov A.V., Ryutov D.D., Simonov V.I., Skrinskii A.N., Shuvalov L.A., Chirikov B.V. // Soviet Physics - Uspekhi. - 1991. - Vol.34, N 1. - P.98-99.

  98. Ред.: Репинский С.М. Введение в химическую физику поверхности твердых тел / Отв. ред. Ржанов А.В.; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, И-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1993. - 222 с.

  99. Александров Л.Н. Получение и изучение свойств полупроводниковых пленок / Александров Л.Н., Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.244-268.

  100. Бородовский П.А. Пути создания интегральных схем СВЧ-диапазона / Бородовский П.А., Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.297-311.

  101. Германиевый МДП-транзистор / Квон Зе Дон, Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.350-354.

  102. Гиновкер А.С. Запоминающие устройства на основе МНОП (металл - нитрид - окисел - полупроводник) - структур / Гиновкер А.С., Ржанов А.В., Синица С.П. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.312-326.

  103. Гузев А.А. Исследование процессов захвата носителей заряда в МНОП-структурах с туннельно-тонким слоем двуокиси кремния / Гузев А.А., Курышев Г.Л., Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.238-243.

  104. Овсюк B.Н. О квазинепрерывном спектре уровней в запрещенной зоне на поверхности полупроводника / Овсюк B.Н., Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.226-228.

  105. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / Латышев А.В., Асеев А.Л., Красильников А.Б., Ржанов А.В., Стенин С.И. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.381-386.

  106. Ржанов А.В. Духовная зарядка ученого / Ржанов А.В.; беседу вела О. Александрова // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.387-391.

  107. Ржанов А.В. Исследования поверхностной проводимости и поверхностной рекомбинации в образцах германия / Ржанов А.В., Неизвестный И.Г., Росляков В.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.182-196.

  108. Ржанов А.В. Исследование эффекта поля и поверхностной рекомбинации в образцах германия / Ржанов А.В., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Г. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.197-208.

  109. Ржанов А.В. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярных пучков / Ржанов А.В., Стенин С.И., Ольшанецкий Б.3. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.355-365.

  110. Ржанов А.В. Молекулярная эпитаксия: состояние спроса, проблемы и перспективы развития / Ржанов А.В., Стенин С.И. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.269-297.

  111. Ржанов А.В. О применимости метода стационарной фотопроводимости для исследования зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.209-217.

  112. Ржанов А.В. О событиях, фактах и людях / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, Ученый, Учитель. - Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. - C.5-122.
    Оглавление сборника

  113. Ржанов А.В. Поверхностная рекомбинация и ее влияние на характеристики полупроводниковых приборов / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.173-181.

  114. Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.366-380.

  115. Ржанов А.В. Современные взгляды на природу выпрямления кристаллических детекторов / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.149-172.

  116. Ржанов А.В. Статистика рекомбинации при захвате носителей заряда возбужденными состояниями центра рекомбинации / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.218-225.

  117. Ржанов А.В. Титанат бария - новый сегнетоэлектрик / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.123-148.

  118. Ржанов А.В. Характер энергетического спектра поверхностных состояний и кинетика импульсного эффекта поля / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.229-237.

  119. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. // След на земле. Солдат, ученый, учитель: Посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920-2000 г.г. - Новосибирск: СО РАН, 2002. - С.327-349.

  120. Ржанов А.В. О событиях, фактах, людях / Ржанов А.В.; ответственный редактор Скубневский Э.В.; [автор предисловия Неизвестный И.Г.]; Институт физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск: СО РАН, 2020. - 152 с.
1969-1979 гг.НазадНазадНачало спискаНачало1949-1968 гг.
 

Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Виктория Лукьянова и Сергей Канн  
  

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2024 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
Документ изменен: Tue Mar 7 12:44:51 2023. Размер: 57,004 bytes.
Посещение N 6655 с 12.12.2006