Библиография трудов академика А.В.Ржанова с 1980 г. по настоящее время
 Навигация
 
 
Научные школы ННЦ  
Ржанов А.В.




     *библиография + база данных
     *жизнь и деятельность
     *избранные труды



 

БИБЛИОГРАФИЯ ТРУДОВ 1949-1968 1969-1979 с 1980
 
1980 | 1981 | 1982 | 1983 | 1984 | 1985 | 1986 | 1987 | 1988 | 1989 | 1990 | 1991 | 1993 | 2002

  1. Бакланов М.Р. Растворение монокристаллов германия и кремния в парах XeF2 / Бакланов М.Р., Репинский С.М., Ржанов А.В. // Доклады Академии наук СССР. - 1980. - Т.253, вып.4. - C.884-886. - Библиогр.: 7 назв.
  2. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур / Гузев А.А., Гуртов В.А., Ржанов А.В., Французов А.А. // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т.14, вып.4. - С.769-775. - Библиогр.: 12 назв.
  3. Влияние электронного облучения на холловскую подвижность дырок в инверсионных слоях МОП структур со сверхтонким диэлектриком / Гузев А.А., Гуртов В.А., Ржанов А.В., Французов А.А. // Междунар. конф. по радиационной физике полупроводников (Киев, 1980). - Киев, 1980. - С.133.
  4. Овсюк В.Н. Электрофизические свойства тонких пленок полупроводников / Овсюк В.Н., Ржанов А.В.; Министерство высшего и средне-специального образования РСФСР, Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола. - Новосибирск, 1980. - 95 с.
  5. Ольшанецкий Б.З. Одномерная периодическая структура на высокоиндексных поверхностях кремния / Ольшанецкий Б.З., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т.32, вып.5. - С.337-340. - Библиогр.: 10 назв.
  6. Определение спектральной зависимости приповерхностного фотовозбуждения за краем фундаментального поглощения полупроводника с использованием ПЗС / Кляус Х.И., Овсюк В.Н., Ржанов А.В., Сердюк Ю.Н., Черепов Е.И. // 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1980. - Ч.1. - С.89-90.
  7. Приповерхностная область пространственного заряда германия при учете квантовых эффектов / Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1980. - Ч.1. - С.78-79. - Библиогр.: 2 назв.
  8. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П., Ржанов А.В., Смирнов Л.С., Шаймеев С.С. // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т.14, Вып.2. - С.2257-2260. - Библиогр.: 9 назв.
  9. Ржанов А.В. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярых пучков / Ржанов А.В., Стенин С.И., Ольшанецкий Б.З. // Микроэлектроника. - 1980. - Т.9, вып.4. - С.292-301. - Библиогр.: 56 назв.
  10. Ржанов А.В. Электронные свойства тонких пленок полупроводников: учебное пособие / Ржанов А.В. - Новосибирск: НГУ, 1980. - 95 с.
  11. Influence of electron irradiation on the Hall mobility of holes in inversion layers of metal–oxide–semiconductor structures / Guzev A.A., Gurtov V.A., Rzhanov A.V., Frantsuzov A.A. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1980. - V.14, N 4. - P.451-454. - Bibliogr.: 12 ref.
  12. Ol'shanetski B.Z. One-dimensional periodic structure on high-index silicon surfaces / Ol'shanetski B.Z., Rzhanov A.V. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. Letters. - 1980. - V.32, N 5. - P.313-315. - Bibliogr.: 10 ref.
  13. Radiation effects in semiconductors at low particle-radiation doses / Bolotov V.V., Korotchenko V.A., Mamontov A.P., Rzhanov A.V., Smirnov L.S., Shameev S.S. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1980. - V.14, N 11. - P.1337-1339. - Bibliogr.: 9 ref.
  14. Ред.: Алгоритмы и программы для численного решения некоторых задач эллипсометрии / Бурыкин И.Г., Воробьева Л.П., Грушецкий В.В. и др.; отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1980. - 186 с.
  15. Ред.: 7-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. В 2 ч. Ч.1. / отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск, 1980. - 163 с.
  16. Ред.: Современные проблемы эллипсометрии: сб. статей / под. ред. Ржанова А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1980. - 192 с.
  17. Ржанов А.В. Cовершенствовать труд ученого: из опыта работы коллектива Института физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР / Ржанов А.В., Свиташев К. // Вечерний Новосибирск. - 1981. - 24 марта.
  18. СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников / Ржанов А.В., Герасименко Н.Н., Васильев С.В., Ободников В.И. // Письма в журнал технической физики. - 1981. - Т.7, вып.20. - С.1221-1223. - Библиогр.: 5 назв.
  19. Microwave heating as a means of semiconductor heat treatment / Rzhanov A.V., Gerasimenko N.N., Vasilev S.V., Obodnikov V.I. // Soviet Physics - Technical Physics Letters. - 1981. - V.7, N 10. - P.521-522. - Bibliogr.: 5 ref.
  20. Ред.: Эллипсометрия и поляризованный свет: пер. с англ. / Азаам Р., Башара Н.; под ред. Ржанова А.В., Свиташева К.К. - М.: Мир, 1981. - 583 c.
  21. Гершинский А.Е. Образование пленок силицидов на кремнии / Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1982. - N 2. - С.1-12. - Библиогр.: 34 назв.
  22. Гершинский А.Е. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике / Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепков Е.И. // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, вып.2. - С.83-94. - Библиогр.: 65 назв.
  23. Кляус Х.И. Исследование фотогенерации за краем фундаментального поглощения кремния в приборах с зарядовой связью / Кляус Х.И., Овсюк В.Н., Ржанов А.В. // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т.16, Вып.7. - С.1239-1343. - Библиогр.: 12 назв.
  24. Ржанов А.В. Анализ ближнего порядка в пленках нитрида кремния / Ржанов А.В., Зайцев Б.Н., Эдельман Ф.Л. // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.266, вып.6. - C.1381-1384. - Библиогр.: 10 назв.
  25. Ржанов А.В. О некоторых перспективах эффективности научных исследований / Ржанов А.В. // Методологические и философские проблемы физики. - Новосибирск: Наука, 1982. - С.22-31.
  26. Ржанов А.В. О некоторых путях повышения эффективности фундаментальных научных исследований // Вестник Академии наук СССР. - 1982. - N 2. - C.42-47.
  27. Ржанов А.В. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс / Ржанов А.В., Свиташев К.К. // Микроэлектроника. - 1982. - Т.11, вып.6. - С.499-511. - Библиогр.: 21 назв.
  28. Ржанов А.В. Эллипсометрический метод определения качества обработки поверхности / Ржанов А.В., Свиташева С.Н., Свиташев К.К. // Доклады Академии наук СССР. - 1982. - Т.267, вып.2. - C.373-376. - Библиогр.: 10 назв.
  29. Методологические и философские проблемы физики / сост.: Скринский А.Н., Кутателадзе С.С., Ржанов А.В. - 1982. - 336 с.
  30. Электронные процессы в тонких пленках / Александров Л., Кравченко А., Неизвестный И., Ржанов А., Синица С., Стенин С., Чаплик А. // Наука в Сибири. - 1982. - N 32. - С.1,3.
  31. Gershinskii A.E. Silicide thin films in microelectronics / Gershinskii A.E., Rzhanov A.V., Cherepov E.I. / Sov. Microelectron. - 1982. - V.11, N 2. - P.51-59. - Bibliogr.: 65 ref.
  32. Investigation of optical generation of carriers beyond the fundamental adsorption edge of silicon in charge-coupled devices // Klyaus Kh.I., Ovsyuk V.N., Rzhanov A.V., Serdyuk Yu.N., Cherepov E.I. // Soviet Physics - Semiconductors. - 1982. - V.16, N 7. - P.791-794. - Bibliogr.: 12 ref.
  33. Ред.: Белый В.И. Нитрид кремния в электронике / Белый В.И., Васильева Л.Л., Грищенко В.А.; отв. ред. Ржанов А.В. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1982. - 200 c.
  34. Ред.: Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / Двуреченский А.А., Качурин Г.А., Нидаев Е.Д., Смирнов Л.С.; отв. ред. Ржанов А.В. - М: Наука, 1982. - 208 с. - Библиогр. в конце глав.
  35. ОЖЕ и ЭСХА- профилирование пленок нитрида кремния после окисления / Ждан П.А., Низовский А.И., Ржанов А.В., Эдельман Ф.Л. // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, вып.2. - С.334-336. - Библиогр.: 12 назв.
  36. Ржанов А.В. Графический метод интерпритации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях / Ржанов А.В., Свиташова С.Н, Свиташев К.Н. // Доклады Академии наук СССР. - 1983. - Т.273, вып.5. - С.1123-1126. - Библиогр.: 6 назв.
  37. Ржанов А.В. МДП-микроэлектроника. Проблемы и перспективы развития: науч. сообщение // Вестник Академии наук СССР. - 1983. - N 2. - C.98-106.
  38. Ржанов А.В. Требуется уточнить предмет и понятие информатики // Наука в Сибири. - 1983. - 8 сент. (N 35). - С.2.
  39. Ржанов А.В. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок / Ржанов А.В., Свиташев К.К.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников // Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сб. статей. - Новосибирск: Наука: Сиб. отд-ние, 1983. - С.3-6.
  40. Bentsion Moiseevich Vul: on his eightieth birthday 1983 / Nikol'skii N.G., Plotnikov A.F., Rzhanov A.V., Shotov A.P. // Soviet Physics - Uspekhi. - 1983. - V.26, N 5. - P.462-463.
  41. Ред.: Ржанов А.В. Эллипсометрия - метод исследования поверхности: сб. матер. всесоюзн. конф. / Отв. ред. Ржанов А.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1983. - 180 с.
  42. Лазерные методы очистки материалов электронной техники / Яценко А.С., Косолобов С.Н., Ржанов А.В., Щекочихин Ю.М., Остаповский Л.М. - М.: ЦНИИ "Электроника", 1984. - 60 c. - Библиогр.: 15 назв.
  43. Ржанов А.В. Молекулярная эпитаксия: состояние вопроса, проблемы и перспективы развития / Ржанов А.В., Стенин С.И.; отв. ред. Александров Л.Н.; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, Ин-т неорганической химии // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок: матер. VI всесоюзн. конф. (Новосибирск, 1982 г.). - Новосибирск: Наука: Сибирское отд-ние, 1984. - Ч.1. - С.5-34. - Библиогр.: 92 назв.
  44. Ржанов А.В. Предельные энергетические характеристики прямого преобразования солнечного излучения / Ржанов А.В., Чукова Ю.П. // Доклады Академии наук СССР. - 1984. - Т.276, вып.6. - С.1385-1388. - Библиогр.: 15 назв.
  45. Ред.: Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / отв. ред. Ржанов А.В., Овсюк В.Н. - Новосибирск: Наука, 1984. - 254 c.
  46. Аналитическая аппаратура и технологическое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии / Анашин, В.В., Емелин Г.Г., Кантер Б.З., Мигаль В.П., Погодаев Е.Я., Пчеляков О.П., Ржанов А.В.,Стенин С.И., Торопов А.И. - Новосибирск, 1985. - 59 с. - Библиогр.: 229 назв. - (Препринт / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - 1985. - N 1).
  47. Установка для эпитаксии из молекулярных пучков с автоматическим эллипсометром / Архипенко А.В., Блюмкина Ю.А., Ламин М.А., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Стенин С.И., Козлов Н.И., Ржанов А.В. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1985. - Вып.1. - С.93-96. - Библиогр.: 6 назв.
  48. Исследование спектров комбинационного рассеяния света поликристаллических пленок халькогенидов свинца в области валентных колебаний адсорбированного кислорода / Ипатова И.П., Иванов Е.В., Косолобов С.Н., Ржанов А.В., Субашиев А.В., Щекочихин Ю.М. // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Т.20, Вып.2. - С.243-247. - Библиогр.: 9 назв.
  49. Микроморфология эпитаксиальных пленок InAs при росте из молекулярных пучков на подложках GaAs / Кантер Ю.О., Торопов А.И., Ржанов А.В., Стенин С.И., Гаврилова Т.А. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1986. - Вып.9. - С.83-87. - Библиогр.: 11 назв.
  50. Ржанов А.В. II международная конференция по модулированным полупроводниковым структурам (Киото, Япония) / Ржанов А.В. // Микроэлектроника. - 1986. - Т.15, вып.3. -- С.195-202.
  51. Сдвиг края поглощения в облученном аморфном нитриде кремния / Гриценко В.А., Ржанов А.В., Синица С.П., Федченко В.И., Феофанов Г.Н. // Доклады Академии наук СССР. - 1986. - Т.287, вып.6. - C.1381-1383. - Библиогр.: 10 назв.
  52. Широкий взгляд / Ржанов А., Неизвестный И., Скубневский З., Щекочихина Р., Мардемов А. // Наука в Сибири. - 1986. - 31 июня. - С.7.
    О Свиташеве К.К.
  53. Рец. на кн. Пшеницын В.И. Эллипсометрия в физико-химических последованиях / рец. Ржанова А.В.; Пшеницын В.И. - Л.: Химия, 1986. - 152 c.
  54. Investigation of the Raman scattering spectra of polycrystalline lead chalcogenide films in the region of valence vibrations of adsorbed oxygen / Ipatova I.P., Ivanov E.V., Kosolobov S.N., Subashiev A.V., Shchekochikhin Yu.M., Rzhanov A.V. // Soviet Physics Semiconductors. - 1986. - N 20, N 2. - P.153-155. - Bibliogr.: 9 ref.
  55. Molecular beam epitaxycal growth of germanium and silicon films: surface structure, film defects and properties / Rzhanov A.V., Stenin S.I., Pchelyacov O.P., Katner B.Z. // Thin Solid Films. - 1986. - Vol.139, N 2. - P.169-175. - Bibliogr.: 12 ref.
  56. Shift of the absorption edge in irradiated amorphous silicon nitride / Gritsenko V.A., Rzhanov A.V., Sinitsa S.P., Fedchenko V.I., Feofanov G.N. // Soviet Physics - Doklady. - 1986. - V.31, N 4. - P.341-342. - Bibliogr.: 10 ref.
  57. Structure of annealed polycrystalline silicon films. I. Recrystallization / Edelman F. L., Heydenreich J., Hoehl D., Matthai J., Melnik I., Rzhanov A., Voelskov M., Werner P. // Physica status solidi. A. - 1986. - V.98, N 2. - P.383-390. - Bibliogr.: 18 ref.
  58. Рец.: Ржанов А.В. Эллипсометрия в физико-химических последованиях / рец. Ржанова А.В.; Пшеницын В.И. - Л.: Химия, 1986. - 152 c.
  59. Edit.: Electronic Structure and Optical Properties of Silicon Nitride, Silicon Nitride in Electronics / edited by A.V.Rzhanov. - New York: Elsevier, 1986. - 234 p.
  60. Edit.: Silicon Nitride in Electronics / edited by A.V.Rzhanov. - New York: Elsevier, 1986. - 180 p.
  61. Вьюн В.А. Акустоэлектронные методы исследования поверхности полупроводников / Вьюн В.А., Ржанов А.В., Яковкин И.В.; ред. Богданова С.В.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 1987. - 126 c. - Библиогр.: 229 назв.
  62. Молекулярно-лучевая эпитаксия как метод создания модулированных полупроводниковых структур / Неизвестный И.Г., Ржанов А.В., Стенин С.И., Шумский В.Н. // Проблемы кристаллографии. - М.: Наука, 1987. - C.190-214. - Библиогр.: 88 назв.
  63. Ржанов А.В. Контроль параметров сверхрешеток в процессе их получения методом эллипсометрии / Ржанов А.В., Свиташев А.Г., Мардежов А.С. // Доклады Академии наук СССР. - 1987. - Т.297, вып.3. - C.604-607. - Библиогр.: 5 назв.
  64. Monitoring of superlattice parameters during ellipsometric measurements / Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Mardezhov A.S., Shvets V.A. // Soviet Physics - Doklady. - 1987. - V.32, N 11. - P.930-932. - Bibliogr.: 5 ref.
  65. Ред.: Эллипсометрия: теория, методы, приложения: материалы конф. (Новосибирск, 9-11 июля 1985 г.) / Отв. ред. Ржанов А.В.; Ильина Л.А. - Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1987. - 192 с.
  66. Гистерезис высокочастотного эффекта поля в структурах Al/Sio2/ Si / Вьюн В.А., Ржанов А.В., Юмашев В.Н., Яковкин И.Б. // Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников, IX всесоюзн. симпозиум (Новосибирск, 15-17 июня 1988 г.): тезисы докл. - Новосибирск, 1988. - Ч.1. - C.102-103.
  67. Гуртов В.А. Моделирование и экспериментальное исследование краевого лавинного пробоя в МДП структурах / Гуртов В.А., Ржанов Ю.А., Сергеев М.С. // Тезисы докл. всесоюз. совещ. по лавинным фил-приборам (Ростов-Ярославльский, 9-14 окт.). - Ростов-Ярославльский, 1988. - С.11.
  68. Основное уравнение эллипсометрии для сверхрешеток / Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С., Швец В.А. // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.298, вып.4. - С.862-866. - Библиогр.: 5 назв.
  69. Поведение моноатомных ступеней на поверхности кремния (III) при сублимации в условиях нагрева электрическим током / Латышев А.В., Асеев А.Л., Красильников А.Б., Ржанов А.В., Стенин С.И. // Доклады Академии наук СССР. - 1988. - Т.300, вып.1. - C.84-88. - Библиогр.: 16 назв.
  70. Behavior of monatomic steps on the silicon (111) surface upon sublimation when heated by an electric current / Latyshev A.V., Aseev A.L., Krasil'nikov A.B., Rzhanov A.V., Stenin S.I. // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - V.33, N 5. - P.352-354. - Bibliogr.: 16 ref.
  71. Fundamental equation of ellipsometry for superlattices // Rzhanov A.V., Svitashev K.K., Mardezhov A.S., Shvets V.A. // Soviet Physics - Doklady. - 1988. - V.33, N 2. - P.146-148. - Bibliogr.: 5 ref.
  72. Ред.: Современные проблемы эллипсометрии / отв. ред. Ржанов А.В.; Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1988. - 192 с.
  73. Ред.: Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников: cб. науч. тр. / отв. ред. А.В.Ржанов, С.М.Репинский; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1988. - 240 c.
  74. Edit.: Silicon nitride in electronics / Bolyi V.I., Vasilyeva L.L., Ginovker A.S.; edited by A.V.Rzhanov. - Amsterdam: Elsevier, 1988. - 263 p. - Bibliogr.: 34 ref.
  75. Мультистабильность высокочастотного эффекта поля в структурах AI/ZnO/SiO2 / Вьюн В.А., Ржанов А.В., Юмашев В.Н., Яковкин И.Б. // Поверхность: физика, химия, механика. - 1989. - Вып.6. - С.110-115. - Библиогр.: 19 назв.
  76. Памяти Ильи Абрамовича Гелинского / Балакирев М.К., Богданов С.В., Дыхне А.М., Ржанов А.В., Покровский В.Г., Чаплик А.В., Покровский В.Л., Саввиных С.К., Сурдутович Г.И. // Физика твердого тела. -1989. - Т.31, N 6. - С.312-313. - Bibliogr.: 10 ref.
  77. Ржанов А.В. Сколько можно отстаивать ...: блеск научных идей и нищета технического прогресса / Ржанов А.В., Свиташев К., Стенин С. // Известия. - 1989. - 3 окт. - С.3.
  78. Il'ya Abramovich Gilinski / Balakirev M.K., Batyev E.G., Bogdanov S.V., Dykhne A.M., Rzhanov A.V., Pokrovski V.L., Chaplik A.V., Savvinykh S.K., Surdutovich G.I. // Soviet Physics - Solid State. - 1989. - V.31, N 6. - P.1096-1097. - Bibliogr.: 10 ref.
  79. Состав и строение аморфного нитрида кремния, обогащенного кремнием / Болотин В.П., Ржанов А.В., Брютов И.А., Гриценко В.А. // Доклады Академии наук СССР. - 1990. - Т.310, вып.1. - C.114-117. - Библиогр.: 13 назв.
  80. Александров Кирилл Сергеевич / Барков Л.М., Вайнштейн Б.К., Кругляков Е.П., Ржанов А.В., Рютов Д.Д., Симонов В.И., Скринский А.Н., Шувалов Л.А., Чириков Б.В. // Успехи физических наук. - 1991. - Т.161, N 1. - С.189-190.
  81. Kirill Sergeevich Aleksandrov: on his sixtieth birthday / Barkov LM., Vainshtein B.K., Kruglyakov E.P., Rzhanov A.V., Ryutov D.D., Simonov V.I., Skrinskii A.N., Shuvalov L.A., Chirikov B.V. // Soviet Physics - Uspekhi. - 1991. - V.34, N 1. - P.98-99.
  82. Ред.: Репинский С.М. Введение в химическую физику поверхности твердых тел / Отв. ред. Ржанов А.В.; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, И-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, 1993. - 222 с.
  83. Ржанов А.В. О событиях, фактах и людях / Ржанов А.В. // След на земле. Солдат, Ученый, Учитель. - Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. - C.5-123.
    Оглавление сборника
1969-1979 гг.НазадНазадНачало спискаНачало1949-1968 гг.
 
Научные школы ННЦ А.В.Ржанов | Литература о жизни и деятельностиПодготовили Виктория Лукьянова и Сергей Канн  
 

[Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
В 2004-2006 гг. проект поддерживался грантом РФФИ N 04-07-90121
 
© 2004-2018 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика

Документ изменен: Thu Apr 5 16:44:14 2018. Размер: 30,391 bytes.
Посещение N 4433 с 12.12.2006